TFT-tekniikka kehitettiin 1990-luvulla. Se ottaa käyttöön uusia materiaaleja ja uusia prosesseja laajamittaiseen puolijohde-integroitujen piirien valmistustekniikkaan. Sitä käytetään nestekiden (LC), epäorgaanisten ja orgaanisten ohutkalvojen elektroluminesenssin (EL ja OEL) litteisiin näyttöihin. perusta. TFT on ei-yksittäinen kiekko, kuten lasinen tai muovinen substraatti (tietysti se voi olla myös kiekolla) sputteroimalla ja kemiallisesti kerrostamalla prosesseja, jotka muodostavat erilaisia piirejä valmistavia kalvoja ja laajamittaisia puolijohde-integroituja piirejä (LSIC ) valmistetaan käsittelemällä kalvot. . Ei-yksikiteisten substraattien käyttö voi vähentää huomattavasti kustannuksia, ja se on laajennus perinteisiin laajamittaisiin integroituihin piireihin laaja-alaisiin, monitoimintoisiin ja edullisiin suuntiin. On teknisesti vaikeampaa valmistaa TFT: itä, jotka ohjaavat pikselien (LC tai OLED) vaihtoa suurilla pinta-aloilla olevilla lasi- tai muovisubstraateilla, kuin valmistaa suurikokoisia IC: itä piikiekkoilla. Tuotantoympäristön vaatimukset (puhdistustaso on 100), raaka-aineiden puhtausvaatimukset (elektronisen erikoiskaasun puhtaus on 99,999985%) ja tuotantolaitteita ja tuotantotekniikkaa koskevat vaatimukset ylittävät puolijohteiden laajamittaisen integroinnin . Se on modernin suurtuotannon huippu. tekniikkaa. Sen pääominaisuudet ovat:
(1) Suuri alue: Ensimmäisen sukupolven suurikokoisen lasisubstraatin (300 mm × 400 mm) TFT-LCD-tuotantolinja otettiin tuotantoon 1990-luvun alussa. Vuoden 2000 ensimmäisellä puoliskolla lasialustan pinta-ala oli laajennettu 680 mm x 880 mm: iin ja lasialustan koko oli 950 mm x 1200 mm. Lasialusta otetaan myös käyttöön. Pinta-alarajoituksia ei periaatteessa ole.
(2) Suuri integraatio: Nestekiden projektiossa käytettävän 1,3 tuuman TFT-sirun resoluutio on XGA, joka sisältää miljoonia pikseleitä. 16,1 tuuman amorfisen TFT-matriisiryhmän, jonka resoluutio on SXGA (1280 × 1024), kalvopaksuus on vain 50 nm, ja TAB ON GLASS- ja SYSTEM ON GLASS -tekniikat, sen IC: n integrointi, laitteiden ja toimitustekniikan vaatimukset ja kaikki tekniset vaikeudet ylittävät perinteisen LSI: n.
(3) Tehokkaat toiminnot: TFT: tä käytettiin ensin matriisin sijaintipiirinä nestekiteiden kevyiden venttiilien ominaisuuksien parantamiseksi. Suuriresoluutioisissa näytöissä saavutetaan jännitteen säätöalueella 0-6 V (tyypillisesti 0,2 - 4 V) kohteen tarkka hallinta, jolloin LCD-näyttö saa aikaan laadukkaita ja tarkkoja näyttöjä. TFT-LCD on ihmiskunnan historian ensimmäinen litteä näyttö, joka ylittää CRT: n näytön laadun. Ja ihmiset alkavat integroida ohjainpiirin lasialustalle, ja koko TFT: n toiminta tulee olemaan tehokkaampi, jota perinteiset suuret puolijohde-integroidut piirit eivät vertaa.
(4) Alhaiset kustannukset: Lasialusta ja muovisubstraatti ratkaisevat pohjimmiltaan suurten puolijohde-integroitujen piirien kustannusongelman ja avaavat laajan sovellustilan suurten puolijohde-integroitujen piirien soveltamiseen.
